大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重(zhò家里放什么东西蛇不敢来，家里有蛇放什么东西最怕ng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必(bì)要措施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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